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Obiettivi Formativi :

Acquisizione delle conoscenze sulla fisica e tecnologia dei dispositivi a semiconduttore.

Programma :

Semiconduttori intrinseci e drogati, eq. termico, neutralità della carica spaziale, fuori equilibrio. Corrente ohmica, mobilita', Forza di Lorenz, corrente diffusiva
Giunzione Metallo-Semiconduttore
Giunzione p-n, giunzione all'equilibrio termico, eq. di continuita’, condizioni al contorno di shockley, eq. della corrente, giunzione p-n in inversa, carica, campo elettrico e potenziale, fenomeni di scarica: effetto termico, valanga , zener, transitori di commutazione, correnti di generazione e di ricombinazione
JFET: relazione corrente-tensione, pinch-off, analisi per piccoli segnali
BJT: modello di Ebers-Moll, condizioni al contorno di shockley, regioni di funzionamento, effetto early, modello a controllo di carica, circuito di giacoletto.
Condensatore MOS, MOSFET
Elementi di Tecnologia
Utilizzo del simulatore SPICE
(vedi sito www.laureaelettronica.univpm.it)

Testi di Riferimento :

1- Appunti a cura del docente
2- Muller Kamins, Device Electronics for integrated circuits, J.Wiley
3- De Castro, Teoria dei dispositivi a semiconduttore, edizioni scientifiche telettra, Patron Editore
4- A.S.Grove, Fisica e tecnologia dei dispositivi a semicondutore, Ingegneria Elettrica Franco Angeli
5- G.Soncini, Tecnologie Microelettroniche, Boringhieri
6- Y.P.Tsividis, "Operation and modeling of the MOS transistor," McGraw-Hill international editions, 1988

Modalità di svolgimento dell’esame :

L’esame consiste in una prova orale sugli argomenti del corso.

Ricevimento Studenti :

martedì e giovedì 10.30-12.30