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Obiettivi Formativi :

Offrire allo studente un quadro esauriente dei materiali e delle tecnologie impiegati nella produzione di dispositivi elettronici, che lo renda cosciente delle problematiche connesse.

Programma :

La struttura della materia. Struttura cristallina e stato amorfo. Difetti ed impurezze. Processi di non-equilibrio. Diffusione. Giunzioni per diffusione. Accrescimento dei cristalli. Produzione di wafer. Epitassia. Accrescimento epitassico in fase vapore ed a fascio molecolare. Ossidazione. Tecniche di ossidazione. Proprietà dell'ossido. Impiantazione ionica. Teoria e pratica del drogaggio per impiantazione. Trattamento di ricottura. Gettering. Metallizzazione: tecniche e controllo. Meccanismi di rottura del film metallico.

Testi di Riferimento :

S.M. Sze, VLSI Technology, Ed. McGraw-Hill
J.W. Mayer and S.S. Lau, Electronic Materials Science: For Integrated Circuits in Si and GaAs, Ed. Macmillan Publishing Company.

Modalità di svolgimento dell’esame :

Prova scritta ed orale.

Ricevimento Studenti :

Consultabile all’ingresso del Dipartimento su quadro interattivo per informazione studenti.