Programma:
Caratteristiche delle
famiglie logiche
Caratteristica di trasferimento, margini di
rumore, circuiti rigenerativi e non, ritardi
di propagazione, caratteristiche del transitorio
Circuiti digitali MOS
Inverter CMOS: caratteristica di trasferimento,
potenza dissipata, transitorio
Elementi di progetto di reti combinatorie
Prodotto consumo ritardo. Progetto circuitale
- progetto logico.Reti combinatorie: logica
random: nMOS e CMOS (not, nand, nor). Criteri
di progetto, strutture complesse, layouts.Progetto
logico con celle MOS: es. full-adder. Strutture
complesse CMOS: es. full-adder. Pseudo nMOS
Reti combinatorie-PLA
Logica a pass-transistor, criteri di progetto,
full-adder. Pass-transistor CMOS. Logica strutturata.
Decoder con porte NAND o NOR.PLA: full-adder
con PLA, PLA in pseudo n-MOS in CMOS. Confronto
fra vari metodi di realizzazione di una funzione
combinatoria.
Tempo di ritardo in un circuito digitale: calcolo
di massima.
Dimensionamento di una coppia e di una catena
di inverter. Circuito con elevato fan-out: tempo
minimo di ritardo, buffer a più stadi,
superbuffer, superbuffer con bootstrap: analisi
e progetto.
Circuiti dinamici
Tecnica di precarica. Logica a 2 fasi a rapporto,
diagramma temporale. 2 fasi non a rapporto:
configurazione 1 Circuiti dinamici CMOS: ripple
through logic; precharge-evaluation logic; logica
a 4 fasi CMOS; logica domino CMOS. Pass-transistor:
analisi del transitorio. Perdita di carica da
nodi soft. Limitazioni sulla frequenza di clock,
charge sharing, accoppiamenti di clock, confronto
circuiti dinamici circuiti statici
TTL
Schema elementare TTL: funzionamento statico,
dinamico, difetti principali. Schema con uscita
totem-pole: introduzione, funzionamento statico,
dinamico, caratteristiche ai terminali. Gate
TTL. Schemi circuitali per alta velocità:
rete di pull-up, diodi clamping sugli ingressi,
rete di pull-down di tipo attivo, circuiti tri-state
e open-collector.
TTL Schottky
Impiego dei diodi shottky nei circuiti TTL.Circuiti
di ingresso e di uscita. Circuiti TTL avanzati
BiCMOS
Introduzione. Tecnologie BiCMOS. Struttura degli
inverter. Dimensionamento e prestazioni: consumo
di potenza e prodotto consumo ritardo, dimensionamento
e comportamento dinamico, invetrer BiCMOS come
buffer. Gate BiCMOS. Prestazioni e confronti.
Sistemi a stati finiti
Tabella di transizione degli stati, SSF binari.
Reti sequenziali fondamentali. Circuiti con
retroazione: latch. Flip-flop SR: analisi DC.
Latch SR con nand. FF JK, JK con nor, con clock,
SR CMOS, SR con clock CMOS, D, T con clock a
2 fasi. Registri dinamici, shift register.
Memorie a semiconduttore
RAM. Decoders. RAM statica: cella a 6, cella
con carichi resistivi, tempi di accesso, cella
CMOS, sense amplifier. RAM dinamica: cella a
4 transistor, a 1 transistor, modello cella
DRAM, sense amplifier, considerazioni sul sense
amplifier, organizzazione semplificata di una
DRAM, circuiti di I/O. ROM. Confronto ROM-PLA.
EPROM, EEPROM.
Sottosistemi VLSI
Sommatori, sommatori paralleli, Manchester carry-chain.
Contatore, moltiplicatore seriale e parallelo.
Moltiplicatore sistolico
Progetto di processori dedicati
Algoritmi realizzati con schiere di processori
VLSI. Moltiplicazione matrice-vettore. Moltiplicazione
di matrici, decomposizione LU
VHDL
Linguaggio di programmazione orientato all’implementazione
hardware. Descrizione strutturale, data flow,
comportamentale. Esempi di architetture descritte
in VHDL.
FPGA
Tecnologie di programmazione degli switch. Confronto
FPGA-MPGA. Architettura delle interconnessioni.
Placement e routing. Descrizione delle architetture
di alcune famiglie di FPGA.
FAULT Models
Modelli di difetti di circuiti integrati digitali,
rilevazione dei difetti.
Design for Testability
Tecniche di progetto orientate al test dei circuiti:
circuiterie ad hoc, misure di testabilita’,
circuiterie di scansione (tecniche scan path),
circuiterie di test interno al circuito (Built
in Self-Test). Sistemi fault tollerant.
Progetto di Sistemi Digitali a Basso Consumo
power models, power reduction tecniques, dynamic
power management, System Level Power Estimation.
Architettura processore PIC16C5.
Testi
di riferimento:
1- Appunti a cura del
docente
2- B.Riccò, F.Fantini, P.Brambilla, "
Introduzione ai circuiti integrati digitali",
Zanichelli Telettra, 1991.
3- P.Olivo, M.Favalli, "Esercizi di elettronica
digitale", Progetto Leonardo, Esculapio,
1991.
4- Carver Mead, Lynn Conway, "Introduzione
ai sitemi VLSI," a cura di Antognetti,Marino,Vernazza,
Ingegneria Elettrica Franco Angeli ed. 1984
(from: Carver Mead, Lynn Conway, "Introduction
to VLSI System", Addison-Wesley, 1980).
5- Weste, Eshraghian, "Principles of CMOS
VLSI design", Addison Wesley, 1985 .
6- M.Annaratone,"Digital CMOS circuit Design",
Kluwer Academic.
7- Z.Navabi,"VHDL analysis and modeling
of digital systems", Mc Graw Hill, 1993.
8- R.Lipsett,C.Scaefer,C.Ussery,"VHDL:
Hardware description and design", Kluwer
academic publisher.
Modalità
di svolgimento del corso e dell’esame:
Il corso prevede una
serie di esercitazioni volte alla progettazione
di circuiti digitali, utilizzo di simulatori
SPICE e VHDL.
L’esame consiste
nella discussione di un progetto sviluppato
dallo studente e in una prova orale sugli argomenti
del corso.
Vedi anche http://www.micro.ea.unian.it/Staff/conti/courses.htm
Orale: Martedi’
ore 9.30 (contattare prima il docente)
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